RQ6E045BNTCR
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Anschlüsse, Verbindungen
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Rohm Semiconductor RQ6E045BNTCR
| Artikelnummer: | RQ6E045BNTCR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
Rohm Semiconductor RQ6E045BNTCR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RQ6E045BNTCR.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TSMT6 (SC-95) Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.5A, 10V Verlustleistung (max) 1.25W (Ta) Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tj) Grundproduktnummer RQ6E045 RQ6E045BNTCR Einzelheiten PDF [English] RQ6E045BNTCR PDF - EN.pdf -
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